삼성전자(OTC:SSNLF)가 2분기에 차세대 HBM3E 칩을 대량 생산할 것을 선언했다. 이는 이 회사의 1분기의 예상을 뛰어넘는 실적을 발표한 이후에 나온 것으로 이 기간 동안 회사는 820.7억 달러(한화 약 11.3조원)를 투자했다.
뉴스 배경 (What Happened): 삼성의 1분기 시설 투자 총액은 11.3조원이었다. 이 중에서 반도체와 디스플레이 사업부는 각각 9.7조원과 1.1조원이었다고 조선일보가 보도했다. 이어 삼성은 2분기에 차세대 HBM3E 칩을 대량생산할 것이라고 발표했다. 이 칩은 기업에서 처음으로, DRAM 칩을 최대 12층까지 쌓을 수 있는 능력을 지니고 있다.
삼성은 이 칩의 용량에 대한 기존 8층 HBM3E보다 더 많은 이점을 제공하는 HBM3E의 개발 성공을 지난 2월 발표했다. 이는 주로 인공지능(AI) 반도체의 DRAM 용량을 늘림으로써 학습 효율이 향상된다는 것이 주요 이유다.
특히 지난 달 엔비디아(NASDAQ:NVDA)의 최고경영자(CEO)인 젠슨 황(Jensen Huang)이 삼성의 HBM3E 제품에 ‘젠승 승인(Jensen Approved)’ 싸인을 남긴 이후에는 엔비디아에 제품 공급에 대한 기대감이 높았다. 그러나 2분기 대량생산 예정제품은 AMD의 새 인공지능 가속기인 ‘Instinct MI350’에 탑재될 예정이다.
종합적인 의미 (Why It Matters): AI 반도체에 대한 수요가 계속해서 증가함에 따라, 삼성의 생산량 확대 및 HBM 생산량 증대 계획은 시기 적절하다. 이 회사는 고용량 제품에 대한 수요가 계속해서 증가하는 만큼, 산업 최초로 개발된 HBM3E 12층 제품의 생산 능력을 극대화하고자 하고 있다.
